主讲人：陈时友教授 复旦大学

开始时间：2025年11月21日 11:00

地点：物信学院祥联厅

报告摘要

ABC模型已被广泛用于描述载流子复合率，其中缺陷辅助复合率被假设为与过剩载流子密度Δn呈线性关系，从而导致复合系数A为常数。然而，对于半导体中普遍存在的多能级缺陷，当Δn变化时，我们发现缺陷的载流子俘获和发射会改变不同电荷态的缺陷密度分布，这使得A系数依赖于Δn，并成为A(n)的函数。因此，复合率应该与Δn呈非线性关系。在许多近期关于多能级缺陷的计算研究中，仅考虑了载流子俘获，而忽略了缺陷能级的载流子发射，导致电荷态分布错误，并误导了复合率与Δn的线性关系，尤其是在浅能级多能级缺陷的情况下。以GaN中的VGa-ON和CsPbI₃中的PbI缺陷为例，我们的计算表明，忽略载流子发射会导致复合率被低估超过8个数量级（当Δn为10¹⁵ cm⁻³时）。、这表明，近期关于多能级缺陷辅助载流子复合的研究应考虑载流子发射的影响，并应将广泛使用的ABC模型重新表述为A(n)BC模型。

报告人简介

陈时友，复旦大学集成电路与微纳电子创新学院和计算物质科学研究所特聘教授/研究员。主要从事半导体材料和器件的计算仿真和理论设计研究，包括多元化合物半导体、缺陷和杂质物理、电子器件的原子级仿真方法和TCAD软件开发、辐照损伤和可靠性物理等方面。在Nat. Comput. Sci., Nat. Nanotech., PRL, JACS, AM等期刊发表论文190余篇，SCI引用19000余次。曾入选国家领军人才计划、优青、上海市优秀学术带头人；获教育部自然科学一等奖、中国电子学会自然科学二等奖；担任Journal of Computational Physics副编辑、国际半导体物理大会（ICPS）程序委员会委员、国际半导体缺陷大会（ICDS）咨询委员会委员。