主讲人：刘新科
开始时间：2023-10-28 14:00
地点：物信北楼104会议室
报告人简介：
刘新科，深圳大学研究员，微电子研究院院长助理，博士研究生导师，IEEE Senior Member,中科院百人计划，致力于单晶氮化镓功率器件的研究工作，主持国家科技部重大研发计划课题、国家自然科学基金、广东省自然科学基金杰出青年项目等重要科研项目。研究成果发表IEEE EDL/TED、Materials Today、Advanced Materials等论文110多篇，作为第一完成人，荣获2021年度广东省高校科技成果转化总决赛铜奖、2022年广东省科技进步二等奖、2022年中国电子学会科技进步二等奖、2022年广东省电子学会科技进步二等奖。
报告内容简介：
氮化镓(GaN)宽禁带半导体是5G/6G射频器件、光电子器件、以及电力电子器件的“核芯”半导体体系。开展GaN研究工作切合我国“新基建”和“双碳”的国家战略方向，解决国家“缺芯少魂”现状，是产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料及其关键电子元器件，也是全球半导体产业新的战略高地。在以蓝宝石、碳化硅、硅(Si)、氮化镓为衬底的外延GaN材料和器件中，基于单晶氮化镓衬底的同质外延GaN电子材料和器件(GaN-on-GaN)因其材料位错密度最低(约104cm-2)、尺寸适度(4-7寸)、并且器件可靠性高等方面具有明显的优势，成为了国际上氮化物半导体领域的研究热点。本次报告将会分享单晶氮化镓垂直功率器件的最新进展，该技术极具有产业化的可能性。
