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物信讲坛第一百九十四讲“利用CMP表面处理提高氧化鉿鋯铁电电容元件之可靠性与均匀性”
发表日期:2024-04-10 阅读:

主讲人:赵泽夫

开始时间:4月12日16:00

地点:物信学院2楼祥联厅

报告人简介:

赵泽夫,台湾大学博士生,博士候选人,致力于先进FE存储元件,GAA逻辑元件与高性能电容元件开发的研究工作。其研究成果以第一作者发表在IEEE VLSI 2023/2024(已被接收) 国际顶会,IEEE EDL/TED国际期刊。荣获台湾未来科技奖,台湾大学杰出研究奖,台湾大学1975级电机系系友科技研究创新奖和2023 VLSI TSA Best Student Paper Award。

报告内容简介:

氧化鉿鋯(HZO) 作为先进铁电材料,被业界广泛认可并应用于下一代存储元件。存储芯片大厂micron 2023 IEDM发表FeDRAM,海力士在2023 VLSI发表Fe 3D-NAND。铁电元件已经成为国际热点研究,但是其均匀性和可靠性仍然是挑战。本次报告将分享其与旺宏电子之校企合作项目,利用CMP处理元件表面,提高平整度,制作出高均匀性与可靠性铁电元件,该成果已经被2024 IEEE VLSI接收。