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郝跃院士来院作学术报告:“宽禁带与超宽禁带半导体材料和器件新进展”
发表日期:2019年10月9日 阅读:106

主 讲 人:郝跃

地  点:祥联厅

主 办 方:物理与信息工程学院

开始时间:2019-09-20  08:30

报告人简介:

   西安电子科技大学教授、博士生导师,中国科学院院士。

   国家重大基础研究(973)计划项目首席科学家、国家有突出贡献的中青年专家和微电子技术领域的著名专家。是国际IEEE学会高级会员,中国电子学会常务理事,第九、第十届全国政协委员和第十一届全国人大代表。曾获国家技术发明奖二等奖1项,国家科技进步二、三等奖各1项。

内容简介:宽禁带、超宽禁带半导体器件已经成为国际半导体器件和材料的研究和产业化热点,概述半导体材料的划代,综述了宽禁带、超宽禁带半导体器件和材料最新进展,并展望了未来的发展方向和前景,讲解第三代半导体材料的优势。